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企業(yè)動(dòng)態(tài)
8月8日上午，廣晟控股集團(tuán)控股上市公司中金嶺南韶關(guān)冶煉廠（以下簡稱“韶冶廠”）半導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)室采用自主設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化單晶爐，結(jié)合自主研發(fā)的磷化銦單晶生長技術(shù)，成功制備出行業(yè)領(lǐng)先的高質(zhì)量磷化銦單晶，標(biāo)志著其在磷化銦單晶制備技術(shù)領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展。
磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導(dǎo)體材料，具有飽和電子漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度高等諸多優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于生產(chǎn)射頻器件、光模塊、Mini/Micro LED、激光器、探測器、傳感器、太空太陽能電池等器件，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用空間。
相較砷化鎵較為成熟的單晶制備技術(shù)，磷化銦單晶制備涉及高溫高壓的單晶生長環(huán)境，過程控制難度較大，成晶率不高。目前，由于在磷化銦單晶生長設(shè)備和技術(shù)方面存在較高壁壘，磷化銦市場參與者較少，且以少數(shù)幾家國外廠商為主。韶冶廠此次自主成功制備磷化銦單晶，標(biāo)志著在半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了堅(jiān)實(shí)一步。
磷化銦單晶制備取得的突破性進(jìn)展是中金嶺南貫徹落實(shí)省委“1310”具體部署，加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，深度延伸有色及稀貴金屬產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)高水平科技自立自強(qiáng)的有力舉措。目前，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)已完成砷化鎵、磷化銦單晶制備技術(shù)中試驗(yàn)證，從設(shè)備裝配到工藝調(diào)控等一系列生產(chǎn)要素均已實(shí)現(xiàn)高度耦合，為后續(xù)半導(dǎo)體襯底材料的產(chǎn)業(yè)化、項(xiàng)目化打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)
